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  • 2020 12-14
    想使用好热压炉,那你必须先掌握好它的结构

    热压炉是将真空/气氛、热压成型、高温烧结结合在一起,主要用于粉末陶瓷材料和粉末烧结材料在真空(或保护气氛)状态下的高温烧结和热压处理,也可用于其他金属或非金属材料在真空(或保护气氛)状态下的高温烧结和热压处理。热压炉的结构详细说明:1、炉体部分:立式炉壳其内层为不锈钢制成的园筒外层为碳钢。两层之间形成夹套可以通冷却水将传到炉壳上的热量带走,使炉壁温度不超过60℃,其上下法兰焊接为一个整体。中间开有红外测温孔,热电偶测温孔、抽气孔及观察孔,铂铑热电偶有到温自动退出装置,红外测温...

  • 2020 12-12
    在使用箱式可控气氛炉时这些安全措施您一定要掌握

    箱式可控气氛炉的种类很多,有周期式和连续式两种。周期炉:有井式炉和密封箱式炉(又称多用炉),适用于多品种小批量生产,可用于光亮淬火、光亮退火、渗碳、碳氮共渗等热处理。连续炉:有推杆式、转底式及各种形式的连续式可控气氛渗碳生产线等,适用于大批量生产,可以进行光亮淬火、回火、渗碳及碳氮共渗等热处理。本设备具备的安全措施:1、设备炉温低于750℃时,可燃气电磁阀自动锁死,不能打开;炉温高于750℃时,可燃气电磁阀才能打开向炉内供气;炉温低于750℃时,氮气电磁阀自动打开,向炉内通入...

  • 2020 12-2
    箱式可控气氛炉具有哪些作用,您是否清楚?

    箱式可控气氛炉壳体采用优质碳钢焊接,外形美观大方,结构设计先进合理,智能温度控制仪,备标准PID、人工智能调节APID或MPT等多种调方式,具有自整定、自学习功能,无超调及无欠调的优良控制特,具备30段程序控制功能,可实现任意斜率的升、降温控制,具有跳转循环)、运行、暂停及停止等可编程/可操作命令,并允许在程序的控制运行中随时修改程序;采用具备曲线拟合功能的人工智能调节算法,能获得光滑平顺的曲线控制效果;炉膛采用多晶莫来石维材料,真空气氛炉保温节能。箱式可控气氛炉广泛用于高等...

  • 2020 11-30
    金属基复合材料

    金属基复合材料(MetalMatrixcomposites,MMCs)主要是指以金属、合金为基体材料,以纤维、晶须、颗粒等高强度材料作为增强体,制备而成的一种复合材料。MMCs的常用的制备方法有:粉末冶金法、原位生成复合法、喷射成形法、铸造凝固成型法等。按照不同增强相可以分为连续纤维增强(主要有碳及石墨纤维、碳化硅纤维、硼纤维、氧化铝纤维、不锈钢丝和钨丝)、非连续纤维增强(包括碳化硅、氧化铝、碳化硼等颗粒增强,碳化硅、氧化铝、等晶须增强,氧化铝纤维等短纤维增强)和叠层复合三类...

  • 2020 11-23
    碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术

    随着电子产业的发展,电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大,从而增加了热能的散失,由此带来了一些了问题如温度漂移等,会严重影响功率器件的可靠性,加速器件的老化。为了解决高温大功率器件所面临的问题,近年来,纳米银烧结技术受到了越来越多研究者的关注。图1苹果手机主板上的器件集成度越来越高低温烧结互连技术...

  • 2020 11-16
    碳化硅晶体的高温退火处理

    碳化硅SiC晶体生长较常见,较成熟的方法仍然是物理气相输运法(PVT),该方法是一种气相生长方法,生长温度高,对原材料以及工艺参数等都有很高的要求。近年来,国内外对PVT工艺的开发投入了大量的时间和精力,SiC晶体的质量和尺寸等方面有了很大的突破和提高,但是晶体中仍然存在组织缺陷和微观应力。组织缺陷的存在会恶化SiC基器件的性能,从而影响器件的应用,而应力的存在则会使得SiC晶体在加工阶段容易碎裂,从而降低SiC晶片的成品率。因此,降低SiC晶体中存在的组织缺陷和微观应力就显...

  • 2020 11-10
    您对真空气氛烧结炉了解多少?知道它采用什么原理吗?

    真空气氛烧结炉用于特种陶瓷,精密陶瓷,荧光粉,发光粉,粉末冶金,锂电池材料等,无机材料的烧结,高温烧结炉广泛应用于1050度以下电子产品在保护气氛或空气中的预烧、烧成或热处理工艺,包括导体浆料、电阻浆料及介质等厚膜电路,电阻、电容、电感等电子元件的端头烧银、烧成,电路管壳、晶振等元件的玻璃缘子封装等。烧结炉在钢铁行业、冶金行业、电子行业等都有广泛应用。烧结炉主要用于陶瓷粉体、陶瓷插芯和其他氧化锆陶瓷的烧结,金刚石锯片的烧结,也可用于铜材,钢带退火等热处理。也用于金属粉末在保护...

  • 2020 11-10
    第三代半导体材料之碳化硅

    碳化硅SiC是一种由硅﹙Si﹚与碳﹙C﹚以共价键为主结合而成的化合物,其基本单元为Si-C四面体,其中Si原子位于中心,周围为C原子。SiC所有的结构均由Si-C四面体以不同的堆积方式构成。目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种,其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料,它具有:(1)临界击穿电场强度是硅材料近1...

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